标题 |
![]() 等离子体处理诱导充电损伤(PID)导致PMOS晶体管退化的NBTI数据异常
相关领域
PMOS逻辑
晶体管
PID控制器
材料科学
降级(电信)
电气工程
光电子学
等离子体
电子工程
计算机科学
工程类
物理
电压
机械工程
温度控制
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) 作者:Andreas Martin; Lukas Valdman; Benjamin Hamilton Stafford; Heiko Nielen 出版日期:2023-02-08 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|