Effect of Heavy-Ion-Induced Latent Damage on SiC MOSFETs Gate Reliability

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标题	Effect of Heavy-Ion-Induced Latent Damage on SiC MOSFETs Gate Reliability 重离子诱发的潜在损伤对SiC MOSFET栅极可靠性的影响相关领域可靠性（半导体）重离子材料科学 MOSFET 碳化硅随时间变化的栅氧化层击穿逻辑门光电子学功率MOSFET 离子电子工程电气工程可靠性工程栅氧化层晶体管电压物理工程类功率（物理）量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/tns.2025.3562193
DOI	10.1109/tns.2025.3562193 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Qinian Yuan; Qingkui Yu; Shuang Cao; Yi Sun; Bo Mei; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	阳光的夏槐在 2025-04-25 16:08:23 发布自上海，悬赏 10 积分
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