Tuning Schottky Barrier and Contact Type of Metal–Semiconductor in Ti3C2T2/MoS2 (T = F, O, OH) by Strain: A First-Principles Study

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标题	Tuning Schottky Barrier and Contact Type of Metal–Semiconductor in Ti3C2T2/MoS2 (T = F, O, OH) by Strain: A First-Principles Study 应变调节Ti3C2T2/MoS2(T=F，O，OH）金属半导体的肖特基势垒和接触类型：第一性原理研究相关领域欧姆接触肖特基势垒材料科学单层肖特基二极管半导体量子隧道接触电阻电极金属半导体结 MXenes公司拉伤光电子学纳米技术凝聚态物理图层（电子）化学二极管物理医学内科学物理化学
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03286
DOI	10.1021/acs.jpcc.1c03286 doi
其它	期刊：The Journal of Physical Chemistry C 作者：Yan Liu; Qiang Zhang; Wendong Zhang; Riguang Zhang; Baojun Wang; et al 出版日期：2021-07-19
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