Fully-transparent resistance switching memristor based on indium-tin-oxide material

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标题	Fully-transparent resistance switching memristor based on indium-tin-oxide material 基于氧化铟锡材料的全透明电阻开关忆阻器相关领域记忆电阻器氧化铟锡铟材料科学光电子学锡氧化物纳米技术电子工程冶金工程类薄膜
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6439/ab70c1
DOI	10.1088/1361-6439/ab70c1 doi
其它	期刊：Journal of micromechanics and microengineering 作者：Po-Hsun Chen; Hui Yang; Yi-Sheng Su; Chia-Min Tsou 出版日期：2020-02-19
求助人	hanyueyue 在 2024-04-15 15:32:28 发布自江苏，悬赏 10 积分
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