Defect reduction by thermal annealing of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on Si substrates

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标题	Defect reduction by thermal annealing of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on Si substrates 硅基片上分子束生长的GaAs层热处理减少缺陷相关领域分子束外延透射电子显微镜材料科学退火（玻璃）堆积外延光电子学砷化镓结晶学图层（电子）纳米技术化学复合材料有机化学
网址	https://doi.org/10.1063/1.98117
DOI	10.1063/1.98117 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：J. W. Lee; H. Shichijo; Hai-Lung Tsai; R. J. Matyi 出版日期：1987-01-05
求助人	wenruo 在 2024-09-09 19:11:58 发布，悬赏 10 积分
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