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标题
[高分] Development of three-dimensional MOS structures from trench-capacitor DRAM cell to pillar-type transistor
从沟槽电容DRAM单元到柱型晶体管的三维MOS结构的发展
相关领域
德拉姆 沟槽 动态随机存取存储器 晶体管 电容器 材料科学 浅沟隔离 存储单元 兆位 光电子学 CMOS芯片 电气工程 支柱 电子工程 计算机科学 工程类 半导体存储器 纳米技术 电压 图层(电子) 结构工程
网址
DOI
10.1109/icsict.2008.4734677 doi
其它 期刊:
作者:Hideo Sunami
出版日期:2008-10-01
求助人
zzydada 在 2024-07-20 15:54:45 发布自中国,悬赏 50 积分
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