| 标题 |
  Modifying Threshold Voltages to n- and p- Type FinFETs by Work Function Metal Stacks 用功函数金属叠层修正n型和p型FinFETs的阈值电压
相关领域
负偏压温度不稳定性
阈值电压
材料科学
MOSFET
金属浇口
泄漏（经济）
CMOS芯片
光电子学
晶体管
场效应晶体管
电气工程
电压
工作职能
可靠性（半导体）
短通道效应
栅氧化层
纳米技术
功率（物理）
工程类
物理
图层（电子）
经济
宏观经济学
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE open journal of nanotechnology 作者：Wen-Teng Chang; Meng-His Li; Chun-Hao Hsu; Wen-Chin Lin; Wen‐Kuan Yeh 出版日期：2021-01-01 |
| 求助人 | |
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