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 Analysis of Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Single Crystals 4H-SiC单晶基面弯曲和基面位错分析
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Noboru Ohtani; Masakazu Katsuno; Tatsuo Fujimoto; Masashi Nakabayashi; Hiroshi Tsuge; et al 出版日期：2009-06-22 |
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