Improving Doping Efficiency of Mist-CVD Epitaxy for Tin-Doped α-Ga2O3 Using Tin Chloride Pentahydrate

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标题	Improving Doping Efficiency of Mist-CVD Epitaxy for Tin-Doped α-Ga2O3 Using Tin Chloride Pentahydrate 利用五水氯化锡提高掺锡α-Ga2O3的Mist-CVD外延掺杂效率相关领域锡兴奋剂雾材料科学外延氯化物冶金无机化学光电子学化学纳米技术物理图层（电子）气象学
网址	https://doi.org/10.1109/tsm.2024.3475730
DOI	10.1109/tsm.2024.3475730 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者：Han-Yin Liu; Yun-Yun Cheng; Wei-Han Chen; Ko-Fan Hu; N.-S. Chiu 出版日期：2024-10-07
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