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 High breakdown voltage of 1.3 kV and low turn-on voltage of 0.48 V β-Ga2O3 heterojunction barrier Schottky diode with tungsten Schottky contact 高击穿电压为1.3V，低开启电压为0.48V β-Ga 2 O3异结阻挡层Schottky二极管，采用钼式肖特接触
相关领域
肖特基势垒
肖特基二极管
异质结
光电子学
材料科学
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电压
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冶金
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期刊：Applied Physics Express 作者：Qiuyan Li; Weibing Hao; Jinyang Liu; Zhao Han; Song He; et al 出版日期：2024-05-15 |
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