标题 |
Optimization of the 4 nm-Thick Hf1–xZrxO2 Film with Low Operating Voltage and High Endurance for Ferroelectric Random Access Memory
低工作电压高耐久性4 nm厚Hf1-xZrxO2薄膜铁电随机存取存储器的优化
相关领域
材料科学
分析化学(期刊)
化学
色谱法
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其它 |
期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Han Sol Park; Soo Hong Choi; Kyung Do Kim; Min Kyu Yeom; Suk Hyun Lee; et al 出版日期:2024-09-12 |
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