Emulating biological synaptic characteristics of HfOx/AlN-based 3D vertical resistive memory for neuromorphic systems

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标题	Emulating biological synaptic characteristics of HfOx/AlN-based 3D vertical resistive memory for neuromorphic systems 基于HfOx/AlN的神经形态系统三维垂直电阻记忆的生物突触特性仿真相关领域神经形态工程学记忆电阻器峰值时间相关塑性电阻随机存取存储器 Spike（软件开发）突触可塑性材料科学计算机科学长时程增强神经科学光电子学电压电子工程物理人工智能生物化学人工神经网络工程类生物化学受体软件工程量子力学复合材料
网址	https://doi.org/10.1063/5.0202610
DOI	10.1063/5.0202610 doi
其它	期刊：Journal of Chemical Physics 作者：J. Kim; Subaek Lee; Yeongkyo Seo; Sungjun Kim 出版日期：2024-04-08
求助人	擦撒擦擦在 2024-11-04 18:03:06 发布自陕西，悬赏 10 积分
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