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 Structural study of single Shockley stacking faults terminated near substrate/epilayer interface in 4H-SiC 4H-SiC衬底/外延层界面附近单肖克利层错的结构研究
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Johji Nishio; Chiharu Ota; Ryosuke Iijima 出版日期：2021-11-17 |
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