Nonlinear Capacitance Model of SiC MOSFET Considering Envelope of Switching Trajectory

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标题	Nonlinear Capacitance Model of SiC MOSFET Considering Envelope of Switching Trajectory 考虑开关轨迹包络的SiC MOSFET非线性电容模型相关领域电容非线性系统正确性计算机科学拓扑（电路）算法物理电气工程工程类电极量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2022.3151776
DOI	10.1109/tpel.2022.3151776 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Ning Wang; Jianzhong Zhang 出版日期：2022-02-15
求助人	kerio 在 2024-11-26 20:32:17 发布自重庆，悬赏 10 积分
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