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Impact of Carbon Doping on Vertical Leakage Current in AlGaN‐Based Buffer Layer Grown on Silicon Substrate
碳掺杂对硅衬底生长AlGaN基缓冲层垂直漏电流的影响
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Ryoma Kaneko; Hisashi Yoshida; Akira Yoshioka; Toshiki Hikosaka; Shinya Nunoue 出版日期:2024-04-21 |
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