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Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories
铁电氧化铪:未来铁电存储器的CMOS兼容和高度可扩展方法
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期刊: 作者:Johannes Müller; T. S. Böscke; Stefan Müller; Ekaterina Yurchuk; P. Polakowski; et al 出版日期:2013-12-01 |
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