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 Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories 铁电氧化铪：未来铁电存储器的CMOS兼容和高度可扩展方法
相关领域
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期刊： 作者：Johannes Müller; T. S. Böscke; Stefan Müller; Ekaterina Yurchuk; P. Polakowski; et al 出版日期：2013-12-01 |
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