铁电性
电容器
可扩展性
CMOS芯片
材料科学
钙钛矿（结构）
非易失性存储器
光电子学
氧化物
铁电电容器
电气工程
铪
计算机科学
电子工程
电介质
工程类
电压
化学
操作系统
结晶学
锆
冶金
作者
Johannes Müller,T. S. Böscke,Stefan Müller,Ekaterina Yurchuk,P. Polakowski,Paul Jarman,Dominik Martin,Tony Schenk,K. Khullar,Alfred Kersch,Wenke Weinreich,S. Riedel,Konrad Seidel,Amit Kumar,Thomas M. Arruda,Sergei V. Kalinin,T. Schlösser,Roman Boschke,Ralf van Bentum,U. Schröder,Thomas Mikolajick
标识
DOI：10.1109/iedm.2013.6724605
摘要
With the ability to engineer ferroelectricity in HfO 2 thin films, manufacturable and highly scaled MFM capacitors and MFIS-FETs can be implemented into a CMOS-environment. NVM properties of the resulting devices are discussed and contrasted to existing perovskite based FRAM.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
爱静静
丰盛的煎饼
西红柿炒番茄
不配.
哎嘿
乐乐乐乐乐乐
kento
加菲丰丰
好困
寻道图强
Hayat
ShowMaker
InfoNinja
贰鸟
杳鸢
OnionJJ
YifanWang
五十一笑声
冒险寻羊
咖啡豆
皖公网安备34019202002308
