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标题
A Normally-Off GaN MIS-HEMT Fabricated Using Atomic Layer Etching to Improve Device Performance Uniformity for High Power Applications
使用原子层蚀刻制造的常关GaN MIS-HEMT以提高高功率应用的器件性能均匀性
相关领域
高电子迁移率晶体管 蚀刻（微加工） 算法 材料科学 物理 分析化学（期刊） 光电子学 电气工程 图层（电子） 晶体管 数学 纳米技术 量子力学 化学 电压 工程类 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3201900
DOI
10.1109/led.2022.3201900 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Tsung-Ying Yang; Huuan-Yao Huang; Yan-Kui Liang; Jui-Sheng Wu; Mei-Yan Kuo; et al
出版日期：2022-08-26
求助人
qwas 在 2025-01-13 17:34:04 发布自湖南，悬赏 10 积分
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