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Scaling of MoS2 Transistors and Inverters to Sub-10 nm Channel Length with High Performance
MoS2晶体管和反相器的高性能扩展至10 nm以下沟道长度
相关领域
材料科学
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期刊:Nano Letters 作者:Jinpeng Tian; Qinqin Wang; Xudan Huang; Jian Tang; Yanbang Chu; et al 出版日期:2023-04-03 |
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