标题 |
Lowering the Schottky Barrier Height by Quasi-van der Waals Contacts for High-Performance p-Type MoTe2 Field-Effect Transistors
用准范德华接触降低高性能p型MoTe2场效应晶体管肖特基势垒高度
相关领域
材料科学
肖特基势垒
范德瓦尔斯力
接触电阻
半导体
场效应晶体管
光电子学
晶体管
肖特基二极管
半金属
纳米技术
硅
石墨烯
凝聚态物理
电气工程
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有机化学
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其它 |
期刊:ACS applied materials & interfaces 作者:Zehao Yang; Xingkun Peng; Jinyong Wang; Jialong Lin; Chuanlun Zhang; et al 出版日期:2024-04-27 |
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