| 标题 |
 Simulation and study of the influence of the buffer intrinsic layer, back-surface field, densities of interface defects, resistivity of p-type silicon substrate and transparent conductive oxide on heterojunction with intrinsic thin-layer (HIT) solar cell 缓冲本征层、背表面场、界面缺陷密度、p型硅衬底电阻率和透明导电氧化物对本征薄层太阳电池异质结影响的模拟研究
相关领域
材料科学
带材弯曲
异质结
太阳能电池
光电子学
硅
图层（电子）
电阻率和电导率
基质（水族馆）
氧化物
导电体
制作
纳米技术
复合材料
电气工程
医学
替代医学
冶金
病理
工程类
地质学
海洋学
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| 网址 | |
| DOI |
10.1016/j.solener.2010.02.029
doi
提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致
10.1016/j.solener.2010.01.029
Doi
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| 求助人 | |
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