High performance n-MoSe2/p-Ge-GeSn MQWs/n-Ge heterojunction phototransistor for extended short-wave infrared photodetection - 科研通

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标题	High performance n-MoSe2/p-Ge-GeSn MQWs/n-Ge heterojunction phototransistor for extended short-wave infrared photodetection 用于扩展短波红外光检测的高性能n-MoSe2/p-Ge-GeSn MQWs/n-Ge异质结光电晶体管相关领域光探测异质结光电子学光电二极管红外线的材料科学锗光电探测器光学物理硅
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ada2a3
DOI	10.1088/1361-6463/ada2a3 doi
其它	期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Rui Wang; Xinwei Cai; Tianwei Yang; Qiang Wu; Haokun Ding; et al 出版日期：2024-12-23
求助人	gyy 在 2025-03-14 13:32:53 发布自浙江，悬赏 10 积分
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