| 标题 |
 Charge transport properties of high-mobility indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors fabricated through atomic-layer deposition 原子层沉积制备高迁移率铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电荷输运特性
相关领域
材料科学
镓
铟
原子层沉积
图层（电子）
锌
薄膜晶体管
光电子学
沉积（地质）
晶体管
薄膜
纳米技术
冶金
电气工程
电压
古生物学
工程类
沉积物
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Sang‐Joon Park; Se-Ryong Park; Jong Mu Na; Woo-Seok Jeon; Youngjin Kang; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
有人
不配.
iNk
肯德鸭
8R60d8
寻道图强
itsserene
浅尝离白
Estrella
Henry
LY
乐乐乐乐乐乐
Singularity
HEIKU
pcr163
丰盛的煎饼
王灿灿
tuanheqi
竹筏过海
gaogao
皖公网安备34019202002308
