| 标题 |
 Retention Reliability Improvement of SONOS Non-volatile Memory with N2O Oxidation Tunnel Oxide N2O氧化隧道氧化物提高SONOS非易失性存储器的保持可靠性
相关领域
非易失性存储器
氧化物
闪存
可靠性（半导体）
退火（玻璃）
材料科学
一氧化二氮
氮化物
表面光洁度
偏移量（计算机科学）
光电子学
计算机科学
纳米技术
化学
复合材料
图层（电子）
嵌入式系统
物理
冶金
功率（物理）
有机化学
量子力学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE International Integrated Reliability Workshop final report 作者：Jialin Wu; Chin-Hsing Kao; Hua-Ching Chien; Tzung-Kuen Tsai; Chih‐Yuan Lee; et al 出版日期：2006-10-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
随机子
嗯哼
YifanWang
穆紫
寻道图强
加菲丰丰
andrele
Meredith
才地理
XIAODI
一杯茶
Hayat
Zinc
TrucCSC
杳鸢
梁朝伟
shinysparrow
morena
sutharsons
皖公网安备34019202002308
