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 AlGaN-Channel Gate Injection Transistor on Silicon Substrate With Adjustable 4–7-V Threshold Voltage and 1.3-kV Breakdown Voltage 硅衬底上AlGaN沟道栅极注入晶体管，具有可调的4-7-V阈值电压和1.3 kV击穿电压
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Li Zhang; Hong Zhou; Weihang Zhang; Kui Dang; Tao Zhang; et al 出版日期：2018-05-21 |
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