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 Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications 垂直晶体管用p-Ge（100）上高Sb掺杂Ge的外延生长
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期刊：ECS Transactions 作者：Rahmat Hadi Saputro; Ryo Matsumura; Naoki Fukata 出版日期：2021-05-07 |
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