标题 |
A model for etching of three-dimensional high aspect ratio silicon structures in pulsed inductively coupled plasmas
脉冲电感耦合等离子体中三维高纵横比硅结构的刻蚀模型
相关领域
感应耦合等离子体
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等离子体
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期刊:Plasma Sources Science and Technology 作者:J-C Wang; Wei Tian; Shahid Rauf; Samaneh Sadighi; Jason Kenney; et al 出版日期:2018-08-20 |
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