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 TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells 高周期InGaN/GaN多量子阱太阳电池暗电流-电压特性的TCAD建模与仿真
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期刊：IEEE Journal of Photovoltaics 作者：Marco Nicoletto; Alessandro Caria; Carlo De Santi; Matteo Buffolo; Matteo G. C. Alasio; et al 出版日期：2024-03-19 |
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