标题 |
Deep Sub-Micron Self-Aligned Bottom-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With Low-Resistance Source/Drain
低阻源/漏极深亚微米自对准底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管
相关领域
薄膜晶体管
无定形固体
材料科学
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结晶学
化学
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yuhan Zhang; Jiye Li; Yuqing Zhang; Huan Yang; Yuhang Guan; et al 出版日期:2023-08-01 |
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