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 Ionization energies and electron mobilities in phosphorus- and nitrogen-implanted 4H-silicon carbide 磷氮注入4H-碳化硅的电离能和电子迁移率
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：M. A. Capano; James A. Cooper; M. R. Melloch; A. Saxler; W. C. Mitchel 出版日期：2000-06-15 |
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