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 High RA Dual-MTJ SOT-MRAM devices for High Speed (10ns) Compute-in-Memory Applications 适用于高速（10ns）内存计算应用的高RA双MTJ SOT-MRAM器件
相关领域
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期刊： 作者：M. Y. Song; Kuo-Lung Chen; Kaini Chen; K. T. Chang; I. J. Wang; et al 出版日期：2023-12-09 |
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