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 High-performance and low parasitic capacitance CNT MOSFET: 1.2 mA/μm at VDS of 0.75 V by self-aligned doping in sub-20 nm spacer 高性能和低寄生电容CNT MOSFET：1.2 mA/μ m，VDS为0.75 V，通过在亚20 nm间隔物中自对准掺杂
相关领域
MOSFET
电容
材料科学
兴奋剂
光电子学
寄生电容
电气工程
物理
电压
电极
晶体管
工程类
量子力学
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期刊： 作者：Shengman Li; Tzu‐Ang Chao; Carlo Gilardi; Nathaniel S. Safron; Sheng‐Kai Su; et al 出版日期：2023-12-09 |
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