Defect Engineering of 2D Semiconductors for Dual Control of Emission and Carrier Polarity

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标题	Defect Engineering of 2D Semiconductors for Dual Control of Emission and Carrier Polarity 用于发射和载流子极性双重控制的二维半导体缺陷工程相关领域材料科学光致发光掺杂剂兴奋剂极性（国际关系）光电子学整改单层三极管半导体载流子寿命纳米技术电气工程硅生物工程类电压遗传学细胞
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202312425
DOI	10.1002/adma.202312425 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Ying Chen; Huawei Liu; Guoliang Yu; Chao Ma; Zheyuan Xu; et al 出版日期：2023-12-31
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