标题 |
Experimental Demonstration of a 650-V Superjunction MOSFET With Dual Schottky Contacts for Fast Reverse Recovery
用于快速反向恢复的双肖特基触点650V超结MOSFET的实验演示
相关领域
MOSFET
对偶(语法数字)
肖特基二极管
材料科学
光电子学
电气工程
电子工程
计算机科学
工程类
晶体管
电压
艺术
文学类
二极管
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ping Li; Da Wang; Zhi Lin; Rongyao Ma; Shengdong Hu 出版日期:2024-04-24 |
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