HgCdTe heteroepitaxy on three-inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric control of substrate temperature

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标题	HgCdTe heteroepitaxy on three-inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric control of substrate temperature 三英寸（112）CdZnTe/Si上的HgCdTe异质外延：衬底温度的椭偏控制相关领域椭圆偏振法基质（水族馆）铟分子束外延材料科学外延碲化镉光电光电子学电介质固体物理学分析化学（期刊）化学薄膜纳米技术凝聚态物理海洋学图层（电子）色谱法地质学物理
网址	https://doi.org/10.1007/s11664-000-0220-3
DOI	10.1007/s11664-000-0220-3 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：L. A. Almeida; Nibir K. Dhar; M. Martinka; J. H. Dinan 出版日期：2000-06-01
求助人	由十三在 2025-01-03 09:52:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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