Numerical investigation of the lateral and vertical leakage currents and breakdown regimes in GaN-on-Silicon vertical structures

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标题	Numerical investigation of the lateral and vertical leakage currents and breakdown regimes in GaN-on-Silicon vertical structures 硅上GaN垂直结构横向和纵向漏电流及击穿机制的数值研究相关领域材料科学撞击电离超晶格热传导泄漏（经济）光电子学硅电离兴奋剂凝聚态物理工程物理复合材料化学离子物理宏观经济学经济有机化学
网址	https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409633
DOI	10.1109/iedm.2015.7409633 doi
其它	期刊：作者：Davide Cornigli; Susanna Reggiani; Elena Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; et al 出版日期：2015-12-01
求助人	hehe 在 2024-10-22 20:31:51 发布自广东，悬赏 10 积分
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