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 Development of 3C-SiC SOI Structures using Si on Polycrystalline SiC Wafer Bonded Substrates 在多晶SiC晶片键合衬底上使用Si开发3C-SiC SOI结构
相关领域
材料科学
绝缘体上的硅
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光电子学
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工程类
薄膜晶体管
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期刊：Materials science forum 作者：Rachael L. Myers‐Ward; Stephen E. Saddow; Shailaja P. Rao; Karl D. Hobart; M. Fatemi; et al 出版日期：2004-06-15 |
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