High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs with Threshold Voltage of 7.1 V

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标题	High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs with Threshold Voltage of 7.1 V 阈值电压为7.1 V的高击穿电压P-GaN栅极HEMT 相关领域光电子学材料科学击穿电压阈值电压电压电气工程宽禁带半导体氮化镓电击穿逻辑门晶体管工程类纳米技术电介质图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3478819
DOI	10.1109/led.2024.3478819 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Siheng Chen; Peng Cui; Xin Luo; Liu Wang; Jiacheng Dai; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	紧张的怜寒在 2024-11-12 20:17:04 发布自广东，悬赏 10 积分
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