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 Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers ε-Ga2O3层的Si和Sn掺杂
相关领域
材料科学
电阻率和电导率
兴奋剂
掺杂剂
杂质
可变距离跳频
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凝聚态物理
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期刊：APL Materials 作者：A. Parisini; A. Bosio; V. Montedoro; Alessandra Gorreri; Alessio Lamperti; et al 出版日期：2019-03-01 |
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