Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-Up, and Suppressed Charge Trapping

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标题	Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-Up, and Suppressed Charge Trapping 了解Si FeFETs中的HZO厚度标度：低工作电压、快速唤醒和抑制电荷俘获相关领域俘获缩放比例唤醒光电子学材料科学电荷（物理）电压物理电气工程工程类几何学生态学数学量子力学生物热力学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3386508
DOI	10.1109/ted.2024.3386508 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：ZG Cai; Kasidit Toprasertpong; Z.F. Liu; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi 出版日期：2024-01-01
求助人	落寞晓兰在 2024-04-24 16:02:37 发布自浙江，悬赏 10 积分
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