标题 |
Atomic Layer Deposition of SiO2 for the Performance Enhancement of Fin Field Effect Transistors
原子层沉积SiO2提高鳍状场效应晶体管性能
相关领域
原子层沉积
材料科学
沉积(地质)
硅烷
场效应晶体管
光电子学
纳米技术
图层(电子)
晶体管
鳍
硅
复合材料
电气工程
古生物学
工程类
电压
沉积物
生物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Kazuhiko Endo; Yuki Ishikawa; Takashi Matsukawa; Yongxun Liu; Shinya Matsufuji; et al 出版日期:2013-10-25 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|