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 Improvement of 650-nm red-emitting GaIn0.17N/GaIn0.38N multiple quantum wells on ScAlMgO4 (0001) substrate by suppressing impurity diffusion/penetration 通过抑制杂质扩散/穿透改善ScAlMgO4（0001）衬底上650nm红光发射GaIn0.17N/GaIn0.38N多量子阱
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期刊：Applied physics letters 作者：Ryo Takahashi; Ryoto Fujiki; Keisuke Hozo; Ryoya Hiramatsu; Makoto Matsukura; et al 出版日期：2022-04-04 |
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