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标题
Schottky barrier height engineering in vertical p-type GaN Schottky barrier diodes for high-temperature operation up to 800 K
用于高达800 K高温工作的垂直p型GaN肖特基势垒二极管的肖特基势垒高度工程
相关领域
热离子发射 肖特基势垒 肖特基二极管 材料科学 金属半导体结 光电子学 氮化镓 宽禁带半导体 工作职能 带隙 二极管 扩散阻挡层 金属 纳米技术 电子 图层(电子) 冶金 物理 量子力学
网址
DOI
10.1063/5.0123299 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Kohei Aoyama; K. Ueno; Atsushi Kobayashi; Hiroshi Fujioka
出版日期:2022-12-05
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dalian 在 2025-04-24 16:26:38 发布自辽宁,悬赏 10 积分
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