High Performance CMOS-Compatible RF GaN-on-Silicon HEMTs With Low-Resistive and Highly-Conformal Ohmic Contacts

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标题	High Performance CMOS-Compatible RF GaN-on-Silicon HEMTs With Low-Resistive and Highly-Conformal Ohmic Contacts 具有低电阻和高共形欧姆接触的高性能CMOS兼容射频硅上GaN HEMT 相关领域欧姆接触材料科学光电子学电阻式触摸屏共形映射硅 CMOS芯片无线电频率电气工程纳米技术工程类图层（电子）数学分析数学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3424426
DOI	10.1109/ted.2024.3424426 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hao Lu; Bin Hou; Ling Yang; Longge Deng; Likun Zhou; et al 出版日期：2024-07-15
求助人	1012077054 在 2025-03-22 11:47:28 发布自广东，悬赏 10 积分
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