| 标题 |
 The effects of CF4 plasma treatment on the performance, gate bias stability, and defect characteristics of low-temperature indium-gallium-tin-oxide thin-film transistors CF4等离子体处理对低温铟镓锡氧化物薄膜晶体管性能、栅极偏置稳定性和缺陷特性的影响
相关领域
材料科学
镓
铟
锡
薄膜晶体管
氧化铟锡
等离子体
薄膜
氧化物
光电子学
晶体管
纳米技术
图层（电子）
冶金
电气工程
物理
工程类
量子力学
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Dongbhin Kim; Kyeong‐Bae Lee; Junho Noh; DongHyun Kim; Hyunsoo Park; et al 出版日期：2025-02-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
HEIKU
剑指东方是为谁
ceeray23
Caili
huahero2025
nenoaowu
andong
斯寜
黄bb
echopussy
Xiaoxiao
herococa
小李老博
痴情的博超
遇上就这样吧
morena
迷人秋烟
zyp
iNk
物语
皖公网安备34019202002308
