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 Improvement of electrical performance in Normally-Off GaN MOSFET with regrown AlGaN layer on the Source/Drain region 在源/漏区重新生长AlGaN层改善常关GaN MOSFET的电学性能
相关领域
跨导
MOSFET
钝化
材料科学
光电子学
图层（电子）
击穿电压
异质结
宽禁带半导体
阈值电压
电气工程
晶体管
电压
纳米技术
工程类
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期刊：Solid-state Electronics 作者：S. H. Shin; Do-Kywn Kim; Sung‐Bum Bae; Hyung‐Seok Lee; Jung‐Hee Lee; et al 出版日期：2024-07-14 |
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