Case Study—Doping Profile Analysis for 30 nm DRAM Devices Using SCM and SSRM

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标题	Case Study—Doping Profile Analysis for 30 nm DRAM Devices Using SCM and SSRM 案例研究-使用SCM和SSRM的30 nm DRAM器件的掺杂分布分析相关领域德拉姆扩展阻力剖面材料科学兴奋剂动态随机存取存储器光电子学显微镜显微镜电子工程计算机科学光学计算机硬件工程类半导体存储器物理
网址	https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2015p0323
DOI	10.31399/asm.cp.istfa2015p0323 doi
其它	期刊：Proceedings - International Symposium for Testing and Failure Analysis 作者：Hsiu-Pin Chen; Jian-Shing Luo; Ching-Shan Sung; Chen-Kang Wei; Kai-Lun Chiang; et al 出版日期：2015-11-01
求助人	LH 在 2024-10-14 21:37:18 发布自湖北，悬赏 10 积分
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