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 Designing a Vertical Gallium Arsenide (GaAs) Channel High Electron Mobility Transistor (HEMT) for power applications in integrated circuit (IC) technology 设计用于集成电路(IC)技术中功率应用的垂直砷化镓(GaAs)沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)
相关领域
砷化镓
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
晶体管
频道（广播）
电气工程
集成电路
电子迁移率
砷化铟镓
逻辑门
工程类
电压
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