Breaking performance barriers: AlN spacer integration boosts GaN HEMTs to higher drive drain current for HEMT-LED

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标题	Breaking performance barriers: AlN spacer integration boosts GaN HEMTs to higher drive drain current for HEMT-LED 打破性能障碍：AlN间隔物集成将GaN HEMT提升至HEMT-LED的更高驱动漏极电流相关领域高电子迁移率晶体管光电子学材料科学宽禁带半导体氮化镓电流（流体）工程物理电气工程晶体管纳米技术图层（电子）工程类电压
网址	https://doi.org/10.1117/12.3051934
DOI	10.1117/12.3051934 doi
其它	期刊：作者：Wagma Hidayat; Muhammad Usman; Syeda Wageeha Shakir; Anum; Iqra Anjum; et al 出版日期：2024-12-04
求助人	tonyguo 在 2024-12-12 10:22:55 发布自浙江，悬赏 20 积分
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