标题 |
Vacancy-defect semiconductor quantum dots induced an S-scheme charge transfer pathway in 0D/2D structures under visible-light irradiation
可见光辐照下空位缺陷半导体量子点在0D/2D结构中诱导S-方案电荷转移路径
相关领域
异质结
材料科学
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光催化
半导体
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载流子
光电子学
纳米技术
石墨氮化碳
氮化物
化学物理
化学
催化作用
生物化学
结晶学
图层(电子)
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期刊:Applied Catalysis B-environmental 作者:Feng Bi; Yuetan Su; Yili Zhang; Meiling Chen; Jawwad A. Darr; et al 出版日期:2022-01-19 |
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